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四甲基氢氧化铵(TMAH)对光刻后所暴露的区域刻蚀
发布日期：2021-07-05 10:25
浏览次数：
发布者：四甲基氢氧化铵
四甲基氢氧化铵(TMAH)
对光刻后所暴露的区域刻蚀成沟槽的工艺
1 特定的酸碱向下定向刻蚀，把那些多余的Poly和SiO2刻蚀去除掉 ，形成沟槽或洞；
2等离子体刻蚀蚀刻SiGe硬掩膜层，形成“U型”沟槽，，蚀刻出沟槽，接着利用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液对硅晶体不同晶向蚀刻速率的不同，形成“ Sigma”槽；
3 通过等离子干法刻蚀去除掩膜层SiN；接着进行硅的干法刻蚀，最后形成沟槽
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