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四甲基氢氧化铵(TMAH)对光刻后所暴露的区域刻蚀

发布日期:2021-07-05 10:25 浏览次数: 发布者:四甲基氢氧化铵

四甲基氢氧化铵(TMAH)对光刻后所暴露的区域刻蚀成沟槽的工艺
 
1 特定的酸碱向下定向刻蚀,把那些多余的Poly和SiO2刻蚀去除掉 ,形成沟槽或洞;
2等离子体刻蚀蚀刻SiGe硬掩膜层,形成“U型”沟槽,,蚀刻出沟槽,接着利用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液对硅晶体不同晶向蚀刻速率的不同,形成“ Sigma”槽;
3 通过等离子干法刻蚀去除掩膜层SiN;接着进行硅的干法刻蚀,最后形成沟槽